半导体业界传出，中国记忆体厂长鑫存储合肥厂拼国产化拼过头，因人为疏失导致良率严重受损、品质出现重大缺失，报废数万片晶圆，无法如期交货给客户，相关营运主管皆遭受惩处或停职，其中，还包括带枪投靠的前台积电某厂长。

　　业界传出，长鑫存储的内部文件显示，日前因人为因素造成数万晶圆报废，起因生产良率出现严重损失与重大品质缺失，关键产品无法如期交货给客户，显著影响公司对外部客户信用与市场声誉。

　　业界人士指出，长鑫存储经过查处，对营运中心负责人、合肥晶圆厂厂长、北京晶圆厂厂长、合肥副厂长等高层祭出惩处，其中，又以营运中心负责人遭受停职的处分最为严重，合肥晶圆厂高层主管也有来自台积电上海松江厂厂长，当年带著一群同事带枪投靠长鑫存储，令业界记忆犹新。

　　根据市场调查，长鑫存储DRAM月产能已达20 万片的规模，是中国拼记忆体国产化的指标厂，主要产品包括17／18 纳米DDR4、LPDDR4，正往12纳米DDR5、LPDDR5X迈进，也企图生产AI的HBM（高频宽记忆体）。

（示意图）