3奈米制程“惹祸”?传 i15Pro出现这问题 | |
www.wforum.com | 2023-09-26 12:03:07 自由时报 | 0条评论 | 查看/发表评论 | |
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苹果(Apple)iPhone 15系列在多国热卖,不过却有果粉表示i15 Pro有过热的情况产生,韩国媒体引述业内人士看法,认为手机过热恐与台积电3奈米製程技术有关。 韩媒《BusinessKorea》报道,近日有中国用户反映,i15 Pro玩手游30分钟左右,手机温度竟飙升至48度,业内人士将手机发烫的可能原因指向台积电的製程,认为传统的鳍式场效电晶体(FinFET)製程恐已达到极限。 FinFET製程技术的出现,让半导体产业得以顺利突破瓶颈,也是让台积电成为半导体霸主的关键技术,然而,一但升级至3奈米以下,控制电流将变得极具挑战,很可能因此引发手机过热的问题。 报道指出,先前三星电子(Samsung)也曾在5奈米及4奈米製程遭遇挫折,导致Galaxy S22内建的芯片面临过热问题,最终导致如:高通(Qualcomm)等主要大客户转单至台积电,也因此拉开了三星与台积电在半导体业的市佔率。 报道另点出后续隐忧,认为台积电初代3奈米製程若存有瑕疵,基于同样技术的后续製程恐怕也将面临类似问题。先前台积电曾表示,将于2奈米时改采用环绕式闸极(GAA)技术,解决FinFET製程技术卡关的问题,三星已于3奈米製程中采用GAA技术。 韩国业内人士认为,i15 Pro的过热问题可能与台积电3奈米製程技术有关。(法新社) |
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