据悉，三星电子、海力士半导体（现SK海力士）前高管兼芯片专家崔珍奭（66岁）因涉嫌向中国泄露三星电子核心芯片技术——20纳米级DRAM工艺技术资料被拘留。2023年6月，崔某曾因涉嫌窃取三星电子芯片工厂设计图，并意图开设20纳米级DRAM芯片的“三星电子复制工厂”被拘留后获释。

5日，首尔中央地方法院专门负责拘留令的部长法官金美京针对涉嫌违反《关于防止不正当竞争与保护商业秘密的法律》的崔某和前三星电子首席研究员吴某举行了拘留前的嫌疑人审问（拘留令实质审查），判定“有潜逃的可能”并签发了拘留令。

两名嫌疑人涉嫌将包含20纳米级芯片生产所需的温度、压力等600多道工艺核心信息的资料泄露给中国成都高真科技。

据首尔警察厅产业技术安保调查队掌握的情况，两名嫌疑人涉嫌将三星电子关于20纳米级DRAM芯片的独家技术打包泄露。

创立成都高真的崔某曾担任三星电子常务、海力士副社长。2023年6月，他曾因涉嫌窃取三星电子芯片工厂设计图，并意图开设20纳米级DRAM芯片的“三星电子复制工厂”被拘留，并于11月被保释出狱。

1月15日，警方曾申请签发吴某的拘留令，但法院以“有必要保障其防御权”为由予以驳回。

随后警方进行了补充调查，2日通过首尔中央地方检察厅信息技术犯罪调查部（部长安东建）再次申请签发吴某的拘留令，一并申请的还有崔某的拘留令。据悉，考虑到犯罪的重大性和损失规模，检方亲自出席了拘留令实质审查，说明了犯罪嫌疑。

三星电子的平泽芯片工厂。